基本情報技術者試験の過去問と解説
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平成23年 秋期 基本情報技術者 午前 問25
問25   フラッシュメモリに関する記述

 フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。

ア 高速に書換えができ,CPU のキャッシュメモリなどに用いられる。

イ 紫外線で全内容の消去ができる。

ウ 周期的にデータの再書込みが必要である。

エ ブロック単位で電気的に消去できる。


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解説

 フラッシュメモリは、EEPROM( Electrically EPROM )で、書き換えが可能な ROM で、 ディジタルカメラなどの記録として使われるメモリである。 書込み、消去とも電気的に行い、一括又はブロック単位で消去する。

ア:SRAM に関する記述である。データを速く読み出せるので,キャッシュメモリとしてよく用いられる。

イ:EPROM に関する記述である。紫外線で全内容を消して書き直せるメモリである。

ウ:DRAM( Dynamic RAM ) に関する記述で、MOS 形記憶セルで構成され、電力消費が少なく、集積度が高い。 コンデンサを使ったメモリでアクセス速度がやや遅く、定期的にリフレッシュ(データの書き直し)が必要である。


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